文献类型：期刊文章

作　　者：韩卫敏[1] 刘娇[2] 王磊[2] 洪敏[3] 朱坤峰[2] 张广胜[2]

HAN Weimin;LIU Jiao;WANG Lei;HONG Ming;ZHU Kunfeng;ZHANG Guangsheng(The 24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Chongqing 400060,P.R.China;Analog Foundries Co.,LTD.,Chongqing 401332,P.R.China;National Laboratory of Science and Technology on Analog Integrated Circuit,Chongqing 400060,P.R.China)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 [2]重庆中科渝芯电子有限公司,重庆401332 [3]模拟集成电路国家级重点实验室,重庆400060

出　　处：《微电子学》

基　　金：重庆市自然科学基金面上项目(CSTB2022NSCQ-MSX0254)

年　　份：2023

卷　　号：53

期　　号：3

起止页码：500-505

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏模型。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析,将环形栅LDMOS器件分为两个部分,一个是中间的条形栅MOS部分,使用常规的高压MOS模型;另一个是端头部分,为一个圆环形栅极MOS器件,采用了一个单独的模型。基于40 V BCD工艺的N沟道LDMOS器件进行模型提取与验证。结果表明,建立的宏模型具有较强的几何尺寸缩放功能,对于不同尺寸的器件都具有较高的拟合精度,并且模型能够兼容当前主要的商用电路仿真器Hspice和Spectre。

关 键 词：环形栅  LDMOS 宏模型 BCD工艺

分 类 号：TN386.1]