文献类型：期刊文章

作　　者：孙伟业[1] 邓军[1] 何磊磊[1] 杜欣钊[1]

Sun WeiYe;Deng Jun;He LeiLei;Du XinZhao(Key Laboratory of Optoelectronics Technology of Ministry of Education,Faculty of Information Technology,Beijing University of Technology,Beijing100124,China)

机构地区：[1]北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京100124

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：北京市自然科学基金资助项目(4182011);19科技创新服务能力建设(市级)资助项目(040000546319536);北京工业大学第十七届研究生科技基金资助项目(ykj-2018-00429).

年　　份：2020

卷　　号：57

期　　号：1

起止页码：66-72

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材质小球作为表面掩膜,对小球的单层排布、PS小球刻蚀和光栅的刻蚀等工艺进行了深入的实验研究,并得出了最优的工艺参数。制备出了具有良好均匀性和一致性的二维光栅结构。通过傅里叶光谱仪测得表面光栅的耦合波长为6~9μm。最后研究了不同工艺条件对耦合结果的影响,证实当光栅直径为PS球直径的0.74倍时获得的耦合效果最优。

关 键 词：二维光栅  微米球刻蚀  量子阱  反应离子刻蚀(RIE)  多量子阱红外探测器(QWIP)  

分 类 号：TH741] TH74[仪器类]