会议论文详细信息
InGaN/GaN量子阱能带结构对等离激元耦合LED性能的影响
文献类型：会议
作者单位：南京大学,南京微结构国家实验室,南京210093 南京大学,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093
会议文献：第13届全国MOCVD学术会议论文集
会议名称：第13届全国MOCVD学术会议
会议日期：20140506
会议地点：江苏扬州
主办单位：中国有色金属学会
出版日期：20140506
语 种：中文
摘 要：表面等离极化激元(SPP)由于潜在的应用已经吸引了研究者的广泛关注,如在亚衍射光学,光源,和非线性过程等方面1.自从Okamoto等人观察到金属覆盖的InGaN量子阱(QW)具有明显的光致发光增强以来2,对于SP耦合发光二极管(LED)的研究已取得了很大的进展.
分 类 号：O47] O4
参考文献：
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二级参考文献：
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耦合文献：
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引证文献：
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二级引证文献：
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同被引文献：
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