会议论文详细信息
暴露高能晶面半导体纳米材料的合成及其增强的物理化学性能
文献类型：会议
作者单位：陕西师范大学材料科学与工程学院,陕西省大分子科学重点实验室,西安,710062
会议文献：中国化学会第十四届胶体与界面化学会议论文集
会议名称：中国化学会第十四届胶体与界面化学会议
会议日期：20130721
会议地点：长春
主办单位：中国化学会
出版日期：20130721
学会名称：中国化学会
语 种：中文
摘 要：自从Yang等首次合成出了暴露{001}面锐钛矿结构TiO2纳米片,发现其具有增强的催化活性以来,设计合成暴露高能晶面、提高其比例成为材料合成的追求目标。我们通过水热、溶剂热、溶液的热反应、胶体化学以及CVD法合成出了暴露{001}面的CdS纳米片组装的花状纳米结构,暴露{020}面InOOH的六角星状结构,暴露{111}面NiO八面体结构,暴露{001}面的ZnO纳米片网络结构、暴露{00
关 键 词：半导体 纳米材料 高能晶面 光催化 气敏性能
分 类 号：TB383.1]
参考文献：
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