文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201520710645.4

申 请 日：20150914

发 明 人：马淑芳 田海军 吴小强 梁建 董海亮

申 请 人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司

申请人地址：041600 山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村飞虹科技

公 开 日：20151230

公 开 号：CN204927806U

代 理 人：董芙蓉

代理机构：11385 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型公开了一种半导体激光器用外延片。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As渐变层，n-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As下限制层，Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As下波导层，有源层，Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As上波导层，p-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As上限制层，p-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As渐变层,p-GaAs顶层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上至下而上依次外延生长各层。本实用新型可以减少电子散失，提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。可以生长出高质量的晶体，能提供更深的载流子阱和更大的增益；应变补偿量子阱具有带阶大，波长漂移速度更低和透明载流子浓度更低等优势。

主 权 项：1.一种半导体激光器外延片，其特征在于：所述外延片的结构为：在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-Al_xGa_1-xAs渐变层，n-Al_xGa_1-xAs下限制层，Al_xGa_1-xAs下波导层，有源层，Al_xGa_1-xAs上波导层，p-Al_xGa1-xAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层，p-GaAs顶层；所述AlxGa1-xAs上波导层的厚度小于所述AlxGa1-xAs下波导层厚度；所述有源层采用应变补偿量子阱结构。

关 键 词：外延生长  衬底上  渐变层  金属有机化学气相沉积 载流子 应变补偿量子阱  空穴  半导体激光器  辐射复合效率  载流子浓度 波长漂移 上波导层  上限制层  下波导层  下限制层  由下至上  制备方法  外延片 有源层 实用  增益  顶层  散失  一种  有源  透明  生长  公开  减少  

IPC专利分类号：H01S5/343(20060101)