文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN03136429.2

申 请 日：20030519

发 明 人：胡珍仪 孙文堂

申 请 人：友达光电股份有限公司

申请人地址：台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路一号

公 开 日：20041124

公 开 号：CN1549346A

代 理 人：王学强

代理机构：11227 北京集佳知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供一种互补式金氧半导体，是由一第一型薄膜晶体管以及一第二型薄膜晶体管所构成，而第一型薄膜晶体管包括一栅极、一通道区、一第一型掺杂区以及一源极掺杂区，其中通道区、第一型掺杂区与源极掺杂区沿一第一方向排列配置。第二型薄膜晶体管则包括一栅极、一通道区、一第二型掺杂区以及一漏极掺杂区，其中通道区、第二型掺杂区与漏极掺杂区亦沿第一方向排列配置，且第二型掺杂区与第一型掺杂区沿一第二方向排列配置，第二方向系与第一方向垂直。而且，各薄膜晶体管中的掺杂区通过一导线电性相连，其中前述导线的延伸方向为第二方向。

主 权 项：1.一种互补式金氧半导体，其特征是，包括：一第一型薄膜晶体管，包括：一第一栅极；一第一岛状多晶硅层，位于该第一栅极下，其中该第一岛状多晶硅层包括：一第一通道区，位于该第一栅极正下方；一源极掺杂区，位于该第一栅极的一侧；以及一第一型掺杂区，位于该第一栅极的另一侧，其中该源极掺杂区、该第一通道区与该第一掺杂区沿一第一方向排列配置；一第二型薄膜晶体管，包括：一第二栅极；一第二岛状多晶硅层，位于该第二栅极下，其中该第二岛状多晶硅层包括：一第二通道区，位于该第二栅极正下方；一第二型掺杂区，位于该第二栅极的一侧；以及一漏极掺杂区，位于该第二栅极的另一侧，其中该第二型掺杂区、该第二通道区与该漏极掺杂区沿该第一方向排列配置，且该第二型掺杂区与该第一型掺杂区沿一第二方向排列配置，该第二方向与该第一方向垂直；一层间介电层，覆盖于该第一型薄膜晶体管及该第二型薄膜晶体管上，该层间介电层具有复数个接触窗洞，以暴露出该第一掺杂区以及该第二掺杂区；一导线，位于该层间介电层上，并通过该些接触窗洞连接该第一掺杂区以及该第二掺杂区，该导线的延伸方向为该第二方向；一源极接触金属，配置在该层间介电层上以及该层间介电层中，且该源极接触金属与该源极掺杂区电性连接；以及一漏极接触金属，配置在该层间介电层上以及该层间介电层中，且该漏极接触金属与该漏极掺杂区电性连接。

关 键 词：掺杂区  薄膜晶体管 通道区  方向排列配置  漏极 源极 互补式金氧  导线电性  半导体 延伸  

IPC专利分类号：H01L27/092