文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN03133649.3

申 请 日：20030807

发 明 人：孙仁涛 王晓雯 吴东阁 李绍恒 李洪儒

申 请 人：沈阳汇博思宾尼斯传感技术有限公司

申请人地址：116301 辽宁省沈阳市沈阳高新区浑南产业区软件园B座306

公 开 日：20060405

公 开 号：CN1249743C

代 理 人：崔红梅

代理机构：21101 沈阳科威专利代理有限责任公司

语　　种：中文

摘　　要：30纳米磁性薄膜的制造方法，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶处理工艺，其特征是选取高纯度的Ni、Co，按重量比1∶2.3的比例混合备用，用真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀：当真空度达到1.0×10<Sup>-6</Sup>乇时，加热放有基片的承片台，20分钟达到450℃，恒温5分钟；待蒸发舟中的上述比例的Ni、Co蒸发料溶化后，在Si片的绝缘膜上开始蒸镀，蒸发速率控制在0.05纳米/秒，蒸发形成的磁性薄膜厚度控制在30纳米以下，然后通过无氧化结晶处理，使蒸发形成的磁性薄膜成为具有各向异性的磁性薄膜。经过半导体平面工艺加工后，制成微功耗磁传感器。

主 权 项：1、一种30纳米磁性薄膜的制造方法，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶化处理工艺，其特征是磁性原料选取高纯度的Ni、Co，按重量比1∶2.3的比例混合备用，然后通过真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀：当真空度达到1.0×10^-6乇时，加热承片台，20分钟达到450℃，恒温5分钟；待已按上述比例混合的Ni、Co磁性原料溶化后开始蒸镀，蒸发速率控制在0.05纳米/秒，在Si片基底(1)的绝缘膜(2)上形成磁性薄膜(3)，蒸发形成的磁性薄膜厚度控制在30纳米以下，然后，经过无氧化结晶处理，使蒸发形成的磁性薄膜(3)具有对磁场的各向异性。

关 键 词：蒸发  磁性薄膜 氧化结晶  真空蒸镀 半导体平面工艺  磁性薄膜厚度  纳米磁性薄膜  薄膜蒸镀  处理工艺  磁传感器 蒸发速率  高纯度  绝缘膜 微功耗  蒸发舟 蒸镀  异性  

IPC专利分类号：H01F41/20(20060101)