文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202411710913.2

申 请 日：20241127

发 明 人：刘松 李炜 汪聪颖 李文龙 魏星

申 请 人：上海新傲科技股份有限公司

申请人地址：201821 上海市嘉定区新徕路200号

公 开 日：20250311

公 开 号：CN119601528A

代 理 人：孙佳胤

代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种SOI基底及其形成方法、半导体结构及其形成方法。所述SOI基底的形成方法，包括如下步骤：提供硅晶圆，所述硅晶圆包括相对分布的正面和背面；于所述硅晶圆的背面形成包括氧化物材料的阻挡层；自所述硅晶圆的正面注入氧离子至所述硅晶圆内，于所述硅晶圆内形成埋氧化层，所述埋氧化层上方的所述硅晶圆作为顶层硅，所述埋氧化层下方的所述硅晶圆作为底层硅，以形成包括所述顶层硅、所述埋氧化层和所述底层硅的SOI基底；去除所述阻挡层。本发明更好的阻挡氧离子注入过程中对所述硅晶圆的背面的损伤，且确保后续能够在所述硅晶圆的背面实施制程工艺以形成背面器件结构。

主 权 项：1.一种SOI基底的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供硅晶圆，所述硅晶圆包括相对分布的正面和背面；于所述硅晶圆的背面形成包括氧化物材料的阻挡层；自所述硅晶圆的正面注入氧离子至所述硅晶圆内，于所述硅晶圆内形成埋氧化层，所述埋氧化层上方的所述硅晶圆作为顶层硅，所述埋氧化层下方的所述硅晶圆作为底层硅，以形成包括所述顶层硅、所述埋氧化层和所述底层硅的SOI基底；去除所述阻挡层。

关 键 词：SOI 基底 半导体结构 埋氧化层  阻挡层  背面  底层硅  氧化物材料  顶层硅  氧化层 沉积  沉积氧化物  多晶硅层  注入氧离子  硅材料 相对分布  表面形成  器件结构  沉积多晶硅材料  抛光处理  

IPC专利分类号：H01L21/762;H10D62/10