文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202411368589.0

申 请 日：20240929

发 明 人：吴庆东 张昱 汪金梅 李炜 李晓标 黄俊

申 请 人：上海新傲科技股份有限公司

申请人地址：201821 上海市嘉定区新徕路200号

公 开 日：20250110

公 开 号：CN119287510A

代 理 人：孙佳胤

代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种适用于高压器件的硅片及其制造方法。所述适用于高压器件的硅片的制造方法包括如下步骤：提供支撑晶圆，所述支撑晶圆包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面；于所述支撑晶圆的所述第一表面形成外延堆叠层，所述外延堆叠层包括沿所述第一方向依次堆叠的多个外延硅层，并去除所述支撑晶圆，多个所述外延硅层是通过多次外延生长工艺依次生长形成，且以所述外延堆叠层作为硅片。本发明能够提高硅片整体的电阻率均匀性，减少硅片内部的缺陷，从而改善由所述硅片制造得到的高压器件的性能。

主 权 项：1.一种适用于高压器件的硅片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供支撑晶圆，所述支撑晶圆包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面；于所述支撑晶圆的所述第一表面形成外延堆叠层，并去除所述支撑晶圆，所述外延堆叠层包括沿所述第一方向依次堆叠的多个外延硅层，多个所述外延硅层是通过多次外延生长工艺依次生长形成，且以所述外延堆叠层作为硅片。

关 键 词：堆叠层  支撑  晶圆 高压器件 外延硅层  第一表面  外延生长工艺  方向相对  电阻率均匀性  第二表面  硅片制造  堆叠 制造  生长  

IPC专利分类号：C30B29/06;C30B25/20;C30B23/02