文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN01804240.6

申 请 日：20010124

发 明 人：太田裕道 折田政宽 细野秀雄 河村贤一 猿仓信彦 平野正浩

申 请 人：科学技术振兴事业团 太田裕道 折田政宽

申请人地址：日本埼玉县

公 开 日：20050216

公 开 号：CN1189952C

代 理 人：周长兴

代理机构：11021 中科专利商标代理有限责任公司

语　　种：中文

摘　　要：虽可确认出于Sr<Sub>2</Sub>Cu<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>膜上成膜n型ZnO并显现出二极管特性，然而未能确认出来自二极管的发光。本发明是于显示出已层合于透明基板上的发光特性的n型ZnO层上，层合Sr<Sub>2</Sub>Cu<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>、CuAlO<Sub>2</Sub>或CuGaO<Sub>2</Sub>而成的p型半导体中的一种所形成的p-n接合而成为特征的半导体紫外线发光组件。透明基板为单晶基板，尤其以已平坦化成原子状的三氧化二钇部分安定化氧化锆(YSZ)(111)基板即可。于透明基板上，在基板温度200～1200℃成膜n型ZnO，再者于其上成膜由SrCu<Sub>2</Sub>O、CuAlO<Sub>2</Sub>或CuGaO<Sub>2</Sub>而成的p型半导体层。在不加热基板下，成膜n型ZnO层，照射紫外线至该ZnO膜上，亦可进行结晶化。

主 权 项：1、一种发光二极管，其特征在于，在已层合于透明基板上的能带隙附近的固有发光的n型ZnO层上，层合由SrCu₂O₂、CuAlO₂或CuGaO₂而成的p型半导体中的一种形成p-n结，以形成紫外线发光二极管，该透明基板为已平坦化成原子状的三氧化二钇部分安定化氧化锆(111)单晶基板，在该透明基板上具有异质外延成长的铟锡氧化物层为透明负电极层，所述n型ZnO层为发光层，其通过异质外延成长于所述铟锡氧化物层上并具有1×10¹⁷-1×10²⁰/cm³的载体浓度，所述p型半导体层为正孔植入层，于所述p型半导体层上具有由Ni层构成的正电极层。

关 键 词：透明基板  层合  成膜  半导体 紫外线发光组件  二极管特性 照射紫外线  二极管 半导体层  单晶基板  发光特性 基板温度  加热基板  安定化  氧化锆 化成  基板 发光 平坦  显现  

IPC专利分类号：H01L33/00;H01L21/363;H01S5/327