文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202410886593.X

申 请 日：20240703

发 明 人：马瑜 李孟闪 敖东羿 邓科文 王国荣 许振伟

申 请 人：浙江正泰电器股份有限公司 上海新池能源科技有限公司

申请人地址：325603 浙江省温州市乐清市北白象镇正泰工业园区正泰路1号

公 开 日：20240802

公 开 号：CN118422155A

代 理 人：方艳丽

代理机构：深圳紫藤知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本申请公开一种复合导体及其制备方法和应用。本申请所述的复合导体的制备方法，包括如下步骤：提供初始金属基体，对所述初始金属基体进行氧化处理，得到预氧化金属基体；在还原性气氛中，对所述预氧化金属基体进行退火处理，然后将所述预氧化金属基体至于沉积室中，在第一温度下，向所述沉积室中通入碳源一段时间，以进行石墨烯的沉积；停止通入碳源，改为通入含氧气体一段时间，然后停止通入含氧气体，改为通入碳源，以进行石墨烯的沉积；重复所述步骤C共n次，其中，n为大于等于0的整数，得到复合导体。本申请所述的制备方法制备得到的复合导体具有较高的导电性。

主 权 项：1.一种复合导体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：A、提供初始金属基体，对所述初始金属基体进行氧化处理，得到预氧化金属基体；B、在还原性气氛中，对所述预氧化金属基体进行退火处理，然后将所述预氧化金属基体至于沉积室中，在第一温度下，向所述沉积室中通入碳源一段时间；C、停止通入碳源，改为通入含氧气体一段时间，然后停止通入含氧气体，改为通入碳源；D、重复所述步骤C共n次，其中，n为大于等于0的整数，得到复合导体。

关 键 词：金属基体 复合导体 预氧化 制备  含氧气体 沉积室  石墨烯  沉积  申请  制备方法和应用  导电性  还原性气氛 退火处理 氧化处理  重复  

IPC专利分类号：C23C16/02;C23C16/26;H01B13/00;H01B5/00;H01B7/42;H01H11/04;H01H1/02;H01H1/027