文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202311575073.9

申 请 日：20231123

发 明 人：卢星 陈梓敏 王钢 林园 丁玲 陈晓玲

申 请 人：吉林省科技创新研究院 佛山市中山大学研究院

申请人地址：130102 吉林省长春市长春新区龙湖大路5799号D451室

公 开 日：20240105

公 开 号：CN117352559A

代 理 人：冼俊鹏

代理机构：广州海心联合专利代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种缓变掺杂的氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法，涉及半导体技术，针对现有技术中功率管反向耐压和导通电阻的矛盾提出本方案。包括自上而下依次层叠设置的阳极、n型氧化镓漂移层、高导电衬底和阴极；在n型氧化镓漂移层和阳极上方设置钝化层；钝化层在阳极的上方开设有接触孔；所述n型氧化镓漂移层的掺杂浓度自上而下缓变递增。优点在于，采用具有缓变掺杂结构的n型氧化镓漂移层，优化了高反向偏压下器件内部的电场分布，降低表面峰值电场从而提高器件的耐压，同时可保证器件具有较低的导通电阻。

主 权 项：1.一种缓变掺杂的氧化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，包括自上而下依次层叠设置的阳极(104)、n型氧化镓漂移层(103)、高导电衬底(102)和阴极(101)；在n型氧化镓漂移层(103)和阳极(104)上方设置钝化层(105)；钝化层(105)在阳极(104)的上方开设有接触孔；所述n型氧化镓漂移层(103)的掺杂浓度自上而下缓变递增。/n

关 键 词：氧化镓 漂移层  阳极  缓变  导通电阻  钝化层  掺杂 肖特基势垒二极管 阴极  半导体技术 电场分布  反向耐压  反向偏压 峰值电场  依次层叠  掺杂的  高导电 功率管  接触孔  衬底  耐压  制备  递增  优化  矛盾  保证  

IPC专利分类号：H01L29/872;H01L21/329;H01L29/36