专利详细信息
文献类型:专利
专利类型:发明专利
是否失效:否
是否授权:否
申 请 号:CN202180042312.7
申 请 日:20210827
申 请 人:丹尼克斯半导体有限公司 株洲中车时代半导体有限公司
申请人地址:英国林肯郡
公 开 日:20230428
公 开 号:CN116034464A
代 理 人:刘新宇;吴昊
代理机构:北京聿宏知识产权代理有限公司
语 种:中文
摘 要:提供了一种半导体装置(1),包括:壳体,包括:第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)以及管状壳体元件(8),第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)布置在壳体的相反侧面,管状壳体元件(8)布置在第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)之间并且被构造为将第一壳体电极(4)与第二壳体电极(5)彼此电绝缘;至少一个半导体芯片(20),其布置在壳体内第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)之间;以及金属防爆护罩(12),其布置在壳体内,其中,金属防爆护罩(12)被构造为延伸进入在至少一个半导体芯片(20)和管状壳体元件(8)之间形成的空间,使得金属防爆护罩围绕至少一个半导体芯片(20)。
主 权 项:1.一种半导体装置,包括:壳体,其包括:第一壳体电极和第二壳体电极以及管状壳体元件,所述第一壳体电极和所述第二壳体电极布置在所述壳体的相对的侧面,所述管状壳体元件布置在所述第一壳体电极和所述第二壳体电极之间并且被构造为将所述第一壳体电极与所述第二壳体电极彼此电绝缘;至少一个半导体芯片,其布置在所述壳体内所述第一壳体电极和所述第二壳体电极之间;以及金属防爆护罩,其布置在所述壳体内,其中,所述金属防爆护罩被构造为延伸进入在所述至少一个半导体芯片和所述管状壳体元件之间形成的空间,使得所述金属防爆护罩围绕所述至少一个半导体芯片。
关 键 词:电极 第二壳体 第一壳体 半导体芯片 防爆护罩 管状壳体 金属 壳体 体内 半导体装置 相反侧面 电绝缘 延伸
IPC专利分类号:H01L23/051
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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