文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202010573258.6

申 请 日：20200622

发 明 人：马瑜 杨军 沈晗睿 吕雪超 曹函星

申 请 人：上海新池能源科技有限公司 浙江正泰电器股份有限公司

申请人地址：201821 上海市嘉定区嘉定工业区叶城路1411号4幢202室

公 开 日：20240507

公 开 号：CN113897590B

代 理 人：王茀智;龚清媛

代理机构：北京卓言知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，上述方法包括如下步骤：S1：铜粉或铜粉混合物在化学气相沉积炉中初步升温至氧化温度后，对铜粉进行预氧化处理；S2：预氧化处理结束，化学气相沉积炉中继续升温至成长温度后，同时进行铜粉表面的还原和石墨烯的生长操作；S3：生长结束后，对生长产物进行降温处理。本发明铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，简化了铜粉表面石墨烯薄膜的成长工艺，提升了整体的工艺效率。并且，预氧化处理配合后期的还原及生长操作，减少了铜粉表面的成核点，使铜粉表面生长形成的石墨烯薄膜的晶粒尺寸较大，通常能达到5～10微米，石墨烯的晶界和缺陷减少，石墨烯的品质得到了很大地提升。

主 权 项：1.一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：铜粉在化学气相沉积炉中初步升温至氧化温度后，对铜粉进行预氧化处理，所述S1具体操作为：将铜粉在保护性气氛下从室温升温至100～300℃的氧化温度，实现初步升温，待化学气相沉积炉中温度达到氧化温度后，向化学气相沉积炉中通入氧化性气体，铜粉表面氧化形成氧化铜，实现预氧化处理；所述氧化性气体的流量为1sccm～2sccm，所述预氧化处理的氧化时间为10～60min；S2：预氧化处理结束，化学气相沉积炉中继续升温至成长温度后，同时进行铜粉表面的还原和石墨烯的生长操作；铜粉烧结成三维网络结构；S3：生长结束后，对生长产物进行降温处理。

关 键 词：铜粉表面  石墨烯薄膜  生长  预氧化处理 石墨烯 铜粉 化学气相沉积炉  还原  工艺效率 降温处理  缺陷减少  生长产物  晶粒 混合物  成核点  晶界 配合  

IPC专利分类号：C23C16/26;C23C16/02;C23C16/44