文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201910543479.6

申 请 日：20190621

发 明 人：钟文安 刘剑锋 苏龙兴 赵宇 王玉超

申 请 人：中国人民解放军63791部队

申请人地址：615000 四川省凉山彝族自治州西昌市航天北路3号

公 开 日：20201222

公 开 号：CN112117346A

代 理 人：姚招泉

代理机构：44102 广州粤高专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种微米线阵列、其制备方法、其制备的雪崩紫外探测器和雪崩紫外探测器系统，所述微米线阵列包括阵列排布的若干核壳结构微米线，所述核壳结构微米线包括线型核层半导体和壳层半导体，所述线型核层半导体与壳层半导体构成异质结。其制备方法包括如下步骤：首先利用二次电解法制备AAO模板，采用自催化的CVD方法为主，利用碳热还原法在周期孔状结构的AAO模板上合成制备异质结所需要的ZnO、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、SnO<Sub>2</Sub>等微米线。制备方法成本较低、工艺较为简单。在微米线阵列的基础上，将电极材料与微米线的核层和壳层分别形成欧姆接触，制备异质结雪崩紫外探测器。然后结合光学设计及成熟的信号放大电路，制造出可便携式、具有较高灵敏度的雪崩紫外探测器系统。

主 权 项：1.一种微米线阵列，其特征在于，包括阵列排布的若干核壳结构微米线，所述核壳结构微米线包括线型核层半导体和壳层半导体，所述线型核层半导体与壳层半导体构成异质结。

关 键 词：微米线  制备  紫外探测器 雪崩 半导体  异质结  核层  壳层  核壳结构  信号放大电路  碳热还原法 电极材料  高灵敏度  光学设计  孔状结构  欧姆接触  阵列排布  电解法  自催化 合成  成熟  制造  

IPC专利分类号：H01L31/107(20060101);H01L31/18(20060101)