文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201780093279.4

申 请 日：20170525

发 明 人：伊恩·德文尼 路德-金·恩格文森 约翰·哈钦斯

申 请 人：丹尼克斯半导体有限公司 株洲中车时代电气股份有限公司

申请人地址：英国林肯郡

公 开 日：20200324

公 开 号：CN110914996A

代 理 人：舒雄文

代理机构：72002 永新专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：我们在此公开了一种栅极控制的双极型半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的多个第一接触区，所述多个第一接触区设置于所述主体区上方并且比所述主体区具有更高的掺杂浓度；第一导电类型的第二接触区，所述第二接触区设置成与所述多个第一接触区横向相邻，所述第二接触区比所述主体区具有更高的掺杂浓度；至少两个有源沟槽，所述至少两个有源沟槽均从表面延伸到所述漂移区中；从所述表面延伸到所述漂移区中的发射极沟槽；其中，每个第一接触区邻接有源沟槽，使得在使用中，沿着每个所述有源沟槽并在所述主体区内形成沟道；其中，所述第二接触区邻接所述发射极沟槽；并且其中，所述发射极沟槽设置于两个有源沟槽之间。

主 权 项：1.一种栅极控制的双极型半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的多个第一接触区，所述多个第一接触区设置于所述主体区上方并且比所述主体区具有更高的掺杂浓度；第一导电类型的第二接触区，所述第二接触区设置成与所述多个第一接触区横向相邻，所述第二接触区比所述主体区具有更高的掺杂浓度；至少两个有源沟槽，所述至少两个有源沟槽均从表面延伸到所述漂移区中；从所述表面延伸到所述漂移区中的发射极沟槽；其中，每个第一接触区邻接有源沟槽，使得在使用中，沿着每个所述有源沟槽并在所述主体区内形成沟道；其中，所述第二接触区邻接所述发射极沟槽；并且其中，所述发射极沟槽设置于两个有源沟槽之间。

关 键 词：接触区 漂移区 主体区  第一导电类型  发射极沟槽  表面延伸  导电类型 集电极区  邻接  掺杂  双极型半导体器件  横向相邻  栅极控制  沟道  

IPC专利分类号：H01L29/739(20060101);H01L29/745(20060101);H01L29/66(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/40(20060101);H01L29/423(20060101)