文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201910338529.7

申 请 日：20190425

发 明 人：徐慧军 庄俞佳 王浩 李翔宇

申 请 人：上海新傲科技股份有限公司

申请人地址：201821 上海市嘉定区普惠路200号

公 开 日：20220111

公 开 号：CN110184655B

代 理 人：孙佳胤

代理机构：31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供了一种晶圆的表面氧化方法，采用立式炉管的退火炉，所述立式炉管包括设置在侧壁一侧上的进气管路，所述进气管路包括靠近立式炉管底部设置的进气端，以及靠近立式炉管顶部设置的出气端，所述晶圆叠置于所述立式炉管中，包括如下步骤：升温步骤，在氧化气氛中进行，从一起始温度升温至目标温度，升温速率大于5℃/分钟，并同时使晶圆平转，以在晶圆表面生成第一氧化层，所生成的第一氧化层中心厚度小于边缘厚度；恒温氧化步骤，在目标温度以及氧化气氛中进行，并同时使晶圆平转，在晶圆表面继续生成第二氧化层，所生成的第二氧化层中心厚度大于边缘厚度。

主 权 项：1.一种晶圆的表面氧化方法，采用立式炉管的退火炉，所述立式炉管包括设置在侧壁一侧上的进气管路，所述进气管路包括靠近立式炉管底部设置的进气端，以及靠近立式炉管顶部设置的出气端，所述晶圆叠置于所述立式炉管中，其特征在于，包括如下步骤：对所述立式炉管进行预热以使所述立式炉管内温度和气流稳定；升温步骤，在氧化气氛中进行，从一起始温度升温至目标温度，升温速率大于5℃/分钟，并同时使晶圆平转，以在晶圆表面生成第一氧化层，所生成的第一氧化层中心厚度小于边缘厚度；恒温氧化步骤，在目标温度以及氧化气氛中进行，并同时使晶圆平转，在晶圆表面继续生成第二氧化层，所生成的第二氧化层中心厚度大于边缘厚度；降温至载出温度后，载出晶舟，待冷却后取出晶圆。

关 键 词：立式炉管  氧化层 晶圆 进气管路 晶圆表面  氧化气氛  平转 表面氧化  顶部设置  氧化步骤  出气端  进气端  退火炉 侧壁  种晶  

IPC专利分类号：H01L21/28(20060101)