专利详细信息
文献类型:专利
专利类型:发明专利
是否失效:否
是否授权:否
申 请 号:CN201811322641.3
申 请 日:20181106
申 请 人:上海新池能源科技有限公司 浙江正泰电器股份有限公司
申请人地址:201821 上海市嘉定区嘉定工业区叶城路1411号4幢202室
公 开 日:20190405
公 开 号:CN109585187A
代 理 人:王茀智; 黄梦琴
代理机构:11365 北京卓言知识产权代理事务所(普通合伙)
语 种:中文
摘 要:一种石墨烯包覆铜粉体的制备方法,包括以下步骤:步骤a:铜粉与二氧化硅混合均匀,得到铜‑二氧化硅混合粉体;步骤b:铜‑二氧化硅混合粉体进行氧催化化学气相沉积,得到铜/石墨烯与二氧化硅或硅混合粉体;步骤c:去除铜/石墨烯与二氧化硅或硅混合粉体中的二氧化硅或硅,得到石墨烯包覆铜粉体。本发明还公开将得到的石墨烯包覆铜粉体作为原料制得铜‑石墨烯电触头及其制备方法。本发明中石墨烯包覆铜粉体制备方法能实现石墨烯在铜粉体上高效高质量生长。铜‑石墨烯电触头制备方法可应用在传统电触头的加工设备上,方便传统生产线转换,所制得的铜‑石墨烯电触头导电导热性高、接触电阻低、耐磨强度高,并具有抗电介质腐蚀性、抗熔焊能力。
主 权 项:1.一种石墨烯包覆铜粉体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤a:将铜粉与二氧化硅混合均匀,得到铜-二氧化硅混合粉体;步骤b:将步骤a得到的铜-二氧化硅混合粉体置于化学气相沉积真空室中,在还原气体和保护气体的氛围下,保持在600~1050℃的温度和常压状态下,通入碳源气体,进行化学气相沉积,得到铜/石墨烯与二氧化硅或硅混合粉体;步骤c:将铜/石墨烯与二氧化硅或硅混合粉体分散于分散液中,采用液相分离去除二氧化硅或硅,得到石墨烯包覆铜粉体。
关 键 词:石墨烯 二氧化硅 混合粉体 电触头 铜粉体 包覆 制备 铜粉 电介质 催化化学气相沉积 传统生产线 导电导热性 抗熔焊能力 加工设备 接触电阻 耐磨 去除 生长 转换 应用
IPC专利分类号:H01H1/021(20060101); H01H11/04(20060101)
参考文献:
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引证文献:
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二级引证文献:
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同被引文献:
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