文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201710370282.8

申 请 日：20170523

发 明 人：王玉超 苏龙兴 蒙蒙 刘剑锋 赵宇 郑锦坚 马忠权 汤子康

申 请 人：中国人民解放军63791部队

申请人地址：615000 四川省凉山彝族自治州西昌市航天北路3号

公 开 日：20171003

公 开 号：CN107230734A

代 理 人：陈卫

代理机构：44102 广州粤高专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器及其制备方法。其包括衬底、生长在衬底上的缓冲层、生长在缓冲层上的BeMgZnO合金外延层和蒸镀沉积在外延层上的肖特基接触的金属接触电极层；所述缓冲层为Mg、MgO、ZnO、BeO、BeZnO或MgZnO中的一种或多种组合材料组成；金属接触电极层包括内侧的钛、镍、铂、金、银或钼单层金属或金属复合层和外侧蒸镀的金层。本发明的器件避免了p型掺杂的困难，具有暗电流低、响应速度快、响应度高、制备工艺简单、可在零偏压下工作等优点，实现了器件的响应截止波长在近紫外到深紫外连续可调；还可与半导体平面工艺相容，有利于大规模集成，具有很好的应用前景。

主 权 项：1.一种背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器，其特征在于，包括衬底、缓冲层、外延层和肖特基接触的金属接触电极层；所述缓冲层生长在衬底上，外延层生长在缓冲层上，肖特基接触的金属接触电极层蒸镀沉积在外延层上；所述缓冲层为不同厚度的Mg、MgO、ZnO、BeO、BeZnO或MgZnO中的一种或多种组合材料组成；所述外延层为BeMgZnO合金；所述金属接触电极层包括内侧的钛、镍、铂、金、银或钼单层金属或金属复合层和外侧蒸镀的金层。

关 键 词：缓冲层  金属接触电极  外延层  衬底  蒸镀  半导体平面工艺  大规模集成  金属复合层  肖特基接触 紫外探测器 截止波长 连续可调  制备工艺  组合材料  生长  暗电流  背对背  金、银  近紫外  零偏压  响应度 肖特基 钼单层  响应  金层  沉积  制备  相容  合金  金属  应用  

IPC专利分类号：H01L31/108(20060101);H01L31/18(20060101);H01L31/032(20060101)