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专利详细信息

一种单晶生长炉       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201610074673.0

申 请 日:20160203

发 明 人:王军 孙曙光 张凤 郭维 陈浩

申 请 人:江苏浩瀚蓝宝石科技有限公司

申请人地址:225300 江苏省泰州市高港区永安洲镇永安南路8-9号

公 开 日:20160525

公 开 号:CN105603510A

代 理 人:姜彦

代理机构:北京国坤专利代理事务所(普通合伙)

语  种:中文

摘  要:一种单晶生长炉,包括水冷提拉杆,所述水冷提拉杆内设有籽晶,水冷提拉杆下端设有坩埚,坩埚内设有晶体,坩埚底部设有干锅支撑,坩埚侧面及底部设有加热器,加热器四周设有保温屏,保温屏与坩埚顶部的坩埚口之间设有反射屏,保温屏底部设有底座,底座及保温屏外部设有壳体;本发明的优点是晶体生长炉结构简单,绝热层的绝热效果好,保温效果好,节约能源,晶体生长均匀。

主 权 项:1.一种单晶生长炉,包括水冷提拉杆(1),其特征在于:所述水冷提拉杆(1)内设有籽晶(3),水冷提拉杆(1)下端设有坩埚(7),坩埚(7)内设有晶体(6),坩埚(7)底部设有干锅支撑(9),坩埚(7)侧面及底部设有加热器(5),加热器(5)四周设有保温屏(2),保温屏(2)与坩埚(7)顶部的坩埚口之间设有反射屏(4),保温屏(2)底部设有底座(10),底座(10)及保温屏(2)外部设有壳体。

关 键 词:设有  保温屏  提拉杆  水冷  加热器  坩埚 底座  底部  单晶生长炉  晶体生长炉  绝热  保温效果  晶体生长 坩埚侧面  坩埚底部  坩埚顶部  反射屏  绝热层 坩埚口  干锅 壳体  下端  一种  籽晶 均匀  四周  外部  支撑  

IPC专利分类号:C30B15/00(20060101);C30B15/10(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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