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专利详细信息

一种MOCVD设备的喷淋头       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201510062237.7

申 请 日:20150205

发 明 人:王钢 李健 范冰丰 蔡健栋 吴飞飞

申 请 人:佛山市中山大学研究院

申请人地址:528222 广东省佛山市南海软件园信息大道崇贤楼S栋三层

公 开 日:20170630

公 开 号:CN104630747B

代 理 人:顿海舟;陈业胜

代理机构:44302 广州圣理华知识产权代理有限公司

语  种:中文

摘  要:本发明公开了一种MOCVD设备的喷淋头,包括将Zn源直接送进反应腔的Zn源管道,观察器以及辅助气体入口,所述喷淋头内腔顶部设有将所述辅助气体入口送入的气体进行折流过滤的折流机构,折流机构下设有若干漏斗形的送气管,各条送气管之间还包括冷却水管道。本发明的喷淋头,解决现有技术的喷淋头,反应物过早地受热反应,造成滤网阻塞的问题,并从结构上改进送气管道系统,让气体输送到基片表面前气流均匀无湍流,减少寄生反应和高温寄生沉积,提高薄膜生产效果。

主 权 项:1.一种MOCVD设备的喷淋头,包括将Zn源直接送进反应腔的Zn源管道,观察器以及辅助气体入口,其特征在于,所述喷淋头内腔顶部设有将所述辅助气体入口送入的气体进行折流过滤的折流机构,折流机构下设有若干漏斗形的送气管,各条送气管之间还包括冷却水管道;所述折流机构为设于喷淋头内腔顶部向内水平延伸的折流环,折流环表面设有若干连续的凸环。

关 键 词:喷淋头  折流  辅助气体入口  送气管  冷却水管道  薄膜生产  基片表面  寄生沉积  寄生反应  内腔顶部  气流均匀  气体输送 送气管道  受热  反应腔  反应物  观察器 漏斗形  湍流  滤网  送进 阻塞  过滤  送入  改进  

IPC专利分类号:C23C16/455(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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