文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210517169.5

申 请 日：20121205

发 明 人：袁根如 郝茂盛 陶淳 张楠 朱广敏 陈诚 杨杰 李士涛

申 请 人：上海蓝光科技有限公司

申请人地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

公 开 日：20160817

公 开 号：CN103855257B

代 理 人：余明伟

代理机构：31219 上海光华专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供一种蓝宝石图形衬底及其制备方法和发光二极管的制造方法，先于蓝宝石衬底表面制作周期为3.9~4.1μm、间距为0.9~1.1μm、直径为2.9~3.1μm、高度为2.1~2.8μm的圆柱体光刻胶图形；然后采用感应耦合等离子体刻蚀法刻蚀所述蓝宝石衬底，形成周期为3.9~4.1μm、图形间距为0.2~0.4μm、底宽为3.6~3.8μm、高度为1.9~2.3μm的圆锥体凸起图形，最后于该蓝宝石衬底表面制作发光二极管。本发明具有以下有益效果：本发明在不增加光刻工艺的难度以及能够批量制作的情况下，保证外延生长时能够侧向生长出高质量的单晶晶体；增加了图形衬底的图形占空比，从而有效地增加了发光二极管的出光效率。

主 权 项：1.一种蓝宝石图形衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1)提供一蓝宝石衬底，于所述蓝宝石衬底表面制作周期为3.9～4.1μm、间距为0.9～1.1μm、直径为2.9～3.1μm、高度为2.1～2.8μm的圆柱体光刻胶图形；2)采用感应耦合等离子体刻蚀法刻蚀所述蓝宝石衬底，形成周期为3.9～4.1μm、图形间距为0.2～0.4μm、底宽为3.6～3.8μm、高度为1.9～2.3μm的圆锥体凸起图形。

关 键 词：发光二极管 蓝宝石 衬底 衬底表面  感应耦合等离子体刻蚀 光刻胶图形  蓝宝石图形  侧向生长  出光效率  单晶晶体  光刻工艺 批量制作  凸起图形  外延生长  制作周期  有效地  圆锥体  占空比  底宽 法刻  制备  制作  制造  保证  

IPC专利分类号：H01L33/00(20100101);H01L33/20(20100101)