文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201310455429.5

申 请 日：20130930

发 明 人：马淑芳 田海军 吴小强 关永莉 梁建 许并社

申 请 人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司 太原理工大学

申请人地址：041600 山西省临汾市洪洞县甘亭镇燕壁村

公 开 日：20160810

公 开 号：CN103500781B

代 理 人：朱源

代理机构：14100 太原科卫专利事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及AlGaInP发光二极管，具体是一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法。本发明解决了现有AlGaInP发光二极管的外延片工艺复杂、成本高、以及出光效率较低的问题。一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片，包括n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层、n-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As渐变层、复合式DBR、n-InAlP限制层、有源层、p-InAlP限制层、P型超晶格层、p-GaP窗口层；其中，n-GaAs缓冲层生长于n-GaAs衬底的上表面；n-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As渐变层生长于n-GaAs缓冲层的上表面。本发明适用于AlGaInP发光二极管的制造。

主 权 项：1.一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片，包括n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层、n-Al_xGa_1-xAs渐变层、复合式DBR、n-InAlP限制层、有源层、p-InAlP限制层、P型超晶格层、p-GaP窗口层；其中，n-GaAs缓冲层生长于n-GaAs衬底的上表面；n-Al_xGa_1-xAs渐变层生长于n-GaAs缓冲层的上表面；复合式DBR生长于n-Al_xGa_1-xAs渐变层的上表面；n-InAlP限制层生长于复合式DBR的上表面；有源层生长于n-InAlP限制层的上表面；p-InAlP限制层生长于有源层的上表面；P型超晶格层生长于p-InAlP限制层的上表面；p-GaP窗口层生长于P型超晶格层的上表面；其特征在于：所述复合式DBR包括渐变式DBR和常规DBR；渐变式DBR生长于n-Al_xGa_1-xAs渐变层的上表面；常规DBR生长于渐变式DBR的上表面；n-InAlP限制层生长于常规DBR的上表面；渐变式DBR由AlAs和Al_xGa_1-xAs周期性交替生长形成，且0.2<x<0.6；渐变式DBR的第m层AlAs材料和第m层Al_xGa_1-xAs材料的厚度分别为： （1）； （2）；式（1）-（2）中：λ₀为器件有源区发光之中心波长，n₁和n₂分别为AlAs材料和Al_xGa_1-xAs材料的折射率，t为正数，且t根据λ_m的不同而取不同的值，m为正整数；常规DBR由AlAs和Al_xGa_1-xAs周期性交替生长形成，且0.2<x<0.6；常规DBR的每层AlAs材料和每层Al_xGa_1-xAs材料的厚度分别为：