文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210470170.7

申 请 日：20121115

发 明 人：韩家荣 欧李启维 陈柏玮 许宇禅 黄隽尧

申 请 人：华映光电股份有限公司 中华映管股份有限公司

申请人地址：350000 福建省福州市马尾区科技园区兴业路1号

公 开 日：20130605

公 开 号：CN103137619A

代 理 人：戴雨君

代理机构：35211 福州君诚知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种画素结构，其包括一闸极、一电容电极、一电容透明电极、一闸绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极、一保护层以及一画素电极。闸极与电容电极配置于一基板上。电容透明电极覆盖电容电极与部分基板。闸绝缘层覆盖闸极与电容透明电极。闸绝缘层具有一暴露出部分电容透明电极的开口。源极与汲极暴露出部分半导体层。保护层覆盖源极、汲极、闸绝缘层以及开口所暴露出的电容透明电极。保护层具有一暴露出部分汲极的接触窗，且画素电极穿过接触窗与汲极电性连接。画素电极与开口所暴露出的电容透明电极之间具有一重迭区域以构成一储存电容。

主 权 项：1.一种画素结构，配置于一基板上，其特征在于：该画素结构包括： 一闸极，配置于该基板上； 一电容电极，配置于该基板上； 一电容透明电极，配置于该基板上，且覆盖该电容电极与部分的基板； 一闸绝缘层，配置于所述基板上，且覆盖闸极与电容透明电极，该闸绝缘层具有一开口，且该开口暴露出部分电容透明电极； 一半导体层，配置于该闸绝缘层上，且位于所述闸极的上方； 一源极，配置于该闸绝缘层上； 一汲极，配置于该闸绝缘层上，其中该源极与该汲极暴露出部分该半导体层； 一保护层，配置于该闸绝缘层上，且覆盖该源极、汲极、闸绝缘层以及所述开口所暴露出的电容透明电极，其中该保护层具有一接触窗，且该接触窗暴露出部分汲极；以及一画素电极，配置于该保护层上，该画素电极穿过所述接触窗与汲极电性连接，其中该画素电极与所述开口所暴露出的电容透明电极之间具有一重迭区域构成的一储存电容。

关 键 词：透明电极 电容 绝缘层 保护层 电极  源极 开口  半导体层  电容电极  接触窗  基板  电容电极配置  储存电容  电性连接  画素结构  

IPC专利分类号：H01L27/02(20060101);H01L29/786(20060101);H01L21/77(20060101);G02F1/1362(20060101);G02F1/1368(20060101)