文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201110397681.6

申 请 日：20111205

发 明 人：沈建树 王晔晔 赖芳奇 张春艳 吕军 黄小花 房玉亮 张志良 姜丁荧 顾高峰 施林波 许红权

申 请 人：昆山西钛微电子科技有限公司

申请人地址：215300 江苏省苏州市昆山市开发区纵四路东侧、同丰路北侧

公 开 日：20130605

公 开 号：CN103137584A

代 理 人：盛建德

代理机构：32212 昆山四方专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种半导体芯片的TSV封装结构及其封装方法，所述半导体芯片具有两个层面，一个层面为芯片电路层，一个层面为硅层，所述芯片电路层上设有若干个芯片PIN，在所述硅层上对应所述芯片PIN四周的硅蚀刻出硅开口使所述芯片PIN裸露，在所述硅层和硅开口的表面以及裸露出的芯片PIN上侧面均设有一层钝化绝缘层；在所述硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层上设有若干个激光打孔；另在该硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层中间设有切割道，使所述芯片PIN隔离形成两部分，且该隔离形成的每个芯片PIN部分均至少具有一个激光打孔。该TSV封装结构和封装方法不仅简单，操作容易，而且可适用于芯片PIN较小的产品，同时不良率降低。

主 权 项：1.一种半导体芯片的TSV封装结构，所述半导体芯片(1)具有两个层面，一个层面为芯片电路层，一个层面为硅层(2)，所述芯片电路层上设有若干个芯片PIN(3)，其特征在于：在所述硅层上对应所述芯片PIN四周的硅蚀刻出硅开口(4)使所述芯片PIN裸露，在所述硅层和硅开口的表面以及裸露出的芯片PIN上侧面均设有一层钝化绝缘层(5)；在所述硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层上设有若干个激光打孔(6)；另在该硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层中间设有切割道(7)，使所述芯片PIN隔离形成两部分，且该隔离形成的每个芯片PIN部分均至少具有一个激光打孔。

关 键 词：芯片 开口  硅层  半导体芯片 钝化绝缘层  封装方法 封装结构 激光打孔  芯片电路 层面  底部  绝缘层 隔离  蚀刻  不良率  层钝化  切割  露出  侧面  

IPC专利分类号：H01L23/485(20060101);H01L23/31(20060101);H01L21/50(20060101);H01L21/58(20060101)