文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210535643.7

申 请 日：20121212

发 明 人：朱伟民 邓晓军 沈健雄

申 请 人：无锡友达电子有限公司

申请人地址：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区106-C地块锡锦路5号

公 开 日：20150311

公 开 号：CN103094104B

代 理 人：楼高潮

代理机构：32200 南京经纬专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公布了一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺，包括如下步骤，投料、氧化、磷埋层光刻、注入、磷埋层退火、硼埋层光刻、注入、浓磷埋层光刻、注入、浓磷埋层退火、N型外延、深磷扩散、隔离扩散、基区注入、浓硼注入、基区退火、N+扩散、接触孔光刻、腐蚀、一铝溅射、介质淀积、通孔光刻、刻蚀、二铝溅射、压点光刻、刻蚀。采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极工艺制作的横向PNP管，其面积可比采用锑埋层技术缩小约35%。这将极大的降低微电子产品设计及流片成本，提高产品的市场竞争力及占有率，从而推动国际集成电路不断向更高品质及更低碳环保方向发展。

主 权 项：1. 一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向 PNP 管制作工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤 ：1）投料 ： 采用P型基片，晶向为 <100> ；2）氧化 ： 在基片表面氧化，氧化层厚度为 7000 Å ～ 8000 Å ；3）磷埋层光刻、注入 ： 在横向 PNP 管埋层区部位注入磷，注入能量 80 KeV ～100KeV，注入剂量 6E14 ～ 8E14 Atoms/cm²，杂质为磷；4）磷埋层退火 ： 退火温度为1100℃～1200℃ ，先通300～320分钟氮气，再通 90 ～ 110 分钟氧气 ；5）硼埋层光刻、注入 ： 在横向PNP管硼埋区部位注入硼，注入能量80 KeV～ 100KeV ，注入剂量2E14～4E14 Atoms/cm²，杂质为硼；6）浓磷埋层光刻、注入： 在横向 PNP 管基区部位注入浓磷，注入能量 80 KeV ～100KeV ，注入剂量 2E15～3E15 Atoms/cm²，杂质为磷；7）浓磷埋层退火 ： 退火温度 1100℃～ 1150℃，通入 80 ～ 100 分钟氮气 ；8） N型外延： 在横向PNP管基区部位外延，厚度7～9微米，电阻率1～3Ω·cm ；9）深磷扩散： 扩散部位为PNP管基区,深磷预扩时的温度为1050℃～ 1080℃，先通3～5分钟氮气和氧气，接着通15～25分钟磷源，最后通46分钟氮气和氧气 ；深磷再扩时的温度为1100℃～1150℃，先通3～5分钟氧气，接着通70～80分钟氢气和氧气，最后通4～6分钟氧气；10）隔离扩散： 扩散部位为隔离槽，目的是与硼埋层对通 , 隔离预扩时的温度为800℃～950℃，先通5～8分钟氮气和氧气，接着通15～20分钟硼源，最后通8～12分钟氮气和氧气，隔离再扩时的温度为 1150℃～1200℃，通入 10 ～ 12 分钟氮气和氧气 ；11）基区注入： 注入部位为基区、电阻区, 基区注入能量为50KeV～80 KeV，剂量为 5E14 ～8E14 Atoms/cm²，杂质为硼；12）浓硼注入： 注入区域为横向PNP管发射区、集电区，注入能量为60KeV，剂量为 8.0E14 Atoms/cm^2<

关 键 词：磷埋  退火  层光  横向PNP  铝溅射  扩散  光刻  基区  刻蚀  市场竞争力  微电子产品  介质淀积  双极工艺 接触孔  低碳  点光  通孔  投料  集成电路  占有率 腐蚀  隔离  管制  环保  发展  

IPC专利分类号：H01L21/331(20060101)