文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201310745165.7

申 请 日：20131231

发 明 人：魏星 徐大伟 狄增峰 方子韦

申 请 人：上海新傲科技股份有限公司

申请人地址：201821 上海市嘉定区普惠路200号

公 开 日：20140423

公 开 号：CN103745999A

代 理 人：孙佳胤;翟羽

代理机构：上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供了一种带有绝缘埋层的沟槽栅功率场效应晶体管，包括：源极层和漏极层，所述源极层设置在衬底的第一表面，所述漏极层设置在衬底与第一表面相对的第二表面；掺杂阱层，所述掺杂阱层设置在所述源极层和漏极层之间，且与所述源极层和漏极层贴合，所述源极层和漏极层具有第一导电类型，所述掺杂阱层具有第二导电类型；栅极，所述衬底的第一表面进一步具有一第一沟槽，所述第一沟槽内填充栅介质层，所述栅介质层中进一步具有一第二沟槽，所述栅极设置在所述沟槽内；进一步包括一辅助耗尽层，所述辅助耗尽层设置在所述栅介质层与漏极层在第一沟槽底面的交界处，且在垂直于衬底表面的方向上与所述栅极不交叠，所述辅助耗尽层具有第二导电类型。

主 权 项：1.一种带有绝缘埋层的沟槽栅功率场效应晶体管，其特征在于，包括： 源极层和漏极层，所述源极层设置在衬底的第一表面，所述漏极层设置在衬底与第一表面相对的第二表面； 掺杂阱层，所述掺杂阱层设置在所述源极层和漏极层之间，且与所述源极层和漏极层贴合，所述源极层和漏极层具有第一导电类型，所述掺杂阱层具有第二导电类型； 栅极，所述衬底的第一表面进一步具有一第一沟槽，所述第一沟槽内填充栅介质层，所述栅介质层中进一步具有一第二沟槽，所述栅极设置在所述沟槽内；其特征在于： 进一步包括一辅助耗尽层，所述辅助耗尽层设置在所述栅介质层与漏极层在第一沟槽底面的交界处，且在垂直于衬底表面的方向上与所述栅极不交叠，所述辅助耗尽层具有第二导电类型。

关 键 词：漏极 源极  导电类型 第一表面  掺杂阱  介质层 衬底  耗尽  辅助  功率场效应晶体管 沟槽底面的  衬底表面  第二表面  绝缘埋层 交界处  贴合  填充  

IPC专利分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101)