文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210119571.8

申 请 日：20120423

发 明 人：张海霞 张海军 车永军 田鹏

申 请 人：锦州新世纪石英(集团)有限公司

申请人地址：121000 辽宁省锦州市经济技术开发区天王路

公 开 日：20120822

公 开 号：CN102646755A

代 理 人：李辉

代理机构：21225 锦州辽西专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种多晶硅薄膜电池片的生产工艺，步骤如下：1）、制作石墨基片；2）、将提纯后的多晶硅投入石墨坩埚，加热至完全熔化；3）、使石墨基片的底面掠过熔融的多晶硅，并迅速脱离；4）、将石墨基片的底面朝上放置，冷却石墨基片上熔融的多晶硅，直至多晶硅完全凝固形成多晶硅薄膜电池板；5）、将多晶硅薄膜电池板由石墨基片上取下；6）、将多晶硅薄膜电池板切割形成多晶硅薄膜电池片。优点是：使用到的设备简单、造价低廉、故障率低、容易维护，整个生产过程操作简单，工人无需经过专业的培训即可上岗操作，每公斤硅料出片率高，生产成本低，生产效率高，生产环境好，无需抛光，产品的光电转化效率高。

主 权 项：1.一种多晶硅薄膜电池片的生产工艺，其特征是： 1）、制作石墨基片； 2）、将提纯后的多晶硅投入石墨坩埚，加热至完全熔化； 3）、使石墨基片的底面掠过熔融的多晶硅，并迅速脱离； 4）、将石墨基片的底面朝上放置，冷却石墨基片上 直至多晶硅完全凝固形成多晶硅薄膜电池板； 5）、将多晶硅薄膜电池板由石墨基片上取下； 6）、将多晶硅薄膜电池板切割形成多晶硅薄膜电池片。

关 键 词：多晶硅薄膜电池 石墨基片  多晶硅 底面  熔融  光电转化效率 熔化  过程操作  石墨坩埚 抛光  故障率  提纯  硅料  生产工艺 生产成本  冷却  切割  凝固  脱离  培训  

IPC专利分类号：H01L31/18(20060101)