文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210033728.5

申 请 日：20120215

发 明 人：李一帆 锺享显

申 请 人：华映光电股份有限公司 中华映管股份有限公司

申请人地址：350015 福建省福州市马尾区科技园区兴业路1号

公 开 日：20120711

公 开 号：CN102569416A

代 理 人：蔡学俊

代理机构：35100 福州元创专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管设置在一基材上，包含有闸极、闸介电层、图案化半导体层、源极、覆盖有防蚀导电层的汲极、图案化保护层与透明导电层。防蚀导电层含有氧化铟锡或氧化铟锌，用以防止在蚀刻保护层制程中对汲极造成过蚀刻。在此亦提供一种薄膜晶体管的制造方法。

主 权 项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包含： 一闸极，位于一基材上； 一闸介电层，覆盖该闸极； 一图案化半导体层，位于该闸介电层上； 一源极及一汲极，位于该图案化半导体层上； 一防蚀导电层，位于该汲极的一上表面； 一图案化保护层，覆盖该源极、该防蚀导电层及该图案化半导体层，该图案化保护层具有一接触窗露出该防蚀导电层的一部分；以及 一透明导电层，位于该图案化保护层上，且该透明导电层经由该接触窗接触该防蚀导电层的该部分。

关 键 词：薄膜晶体管 保护层  导电层  防蚀 蚀刻 图案化半导体  透明导电层  氧化铟锡 氧化铟锌  覆盖有  过蚀刻  介电层  图案化 基材  源极  制程  

IPC专利分类号：H01L29/786(20060101);H01L21/77(20060101);H01L21/336(20060101)