文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201110338024.4

申 请 日：20111031

发 明 人：孙良欣 胡盛华

申 请 人：北京中联科伟达技术股份有限公司

申请人地址：100012 北京市朝阳区北苑路40号2号楼

公 开 日：20120321

公 开 号：CN102386249A

代 理 人：毛燕生

代理机构：11255 北京市商泰律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种下一代结构高效率晶体硅电池及制作方法，属于晶体硅太阳能电池领域，含有以下步骤；氧化硅钝化步骤，是指在P型硅片的磷掺杂面形成一层氧化硅膜；氧化铝钝化步骤，是指在P型硅片的非掺杂面形成一层氧化铝膜；MWT(Metal Wrap Through)技术步骤，是指采用激光打孔，把电池片正面电极引到背面；新栅线形成步骤，是指采用电镀，溅射步骤。本发明有效结合了MWT，正面双层膜钝化，背面氧化铝钝化；并采用了新电池形成方案，如电镀，溅射等克服了对丝网印刷银浆的依赖，同时降低了由电极产生的电阻。能使P型单晶电池片效率提升到20％以上，P型多晶电池片效率提升到18％以上。

主 权 项：1.一种下一代结构高效率晶体硅电池，其特征在于在电池正面形成氧化硅和氮化硅双层膜，对正面形成良好的钝化和降低表面反射；背面采用氧化铝或氧化硅层钝化P型基底和局部背场结构，形成有效的背面钝化；贯穿硅片的小孔被浆料填充，最终形成电极；在背面，从小孔引出的电极用掩膜法或用激光使其与表面的其他部分隔开，避免短路；P型基底与局部背场之间有氧化铝膜或氧化硅膜；正面氧化硅与P型基底之间有n型层。

关 键 词：电池片  钝化步骤  电镀  氧化铝 硅片  钝化 溅射  面形  背面  掺杂  太阳能电池领域  晶体硅电池 线形成步骤  激光打孔 技术步骤  丝网印刷  氧化硅膜  氧化铝膜 有效结合  正面电极  电极  高效率  晶体硅 双层膜 下一代 氧化硅  单晶  电阻  多晶  银浆  电池 依赖  

IPC专利分类号：H01L31/0352(20060101);H01L31/04(20060101)