文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201010209943.7

申 请 日：20100626

发 明 人：陈建铭

申 请 人：华映光电股份有限公司 中华映管股份有限公司

申请人地址：350015 福建省福州市马尾科技园区兴业路1号

公 开 日：20101006

公 开 号：CN101853787A

代 理 人：蔡学俊

代理机构：35100 福州元创专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法，该制作方法首先提供一基板，接下来于基板上依序形成一闸极电极与一第一介电层，且该第一介电层覆盖该闸极电极。接下来进行一图案化步骤，移除该闸极电极上的至少部分该第一介电层，以至少暴露出部分该闸极电极。最后于该基板上形成一第二介电层，且该第二介电层是覆盖该闸极电极。本发明可分别控制薄膜晶体管处的介电层厚度与基板上其它处的介电层厚度，故可于降低闸极绝缘层厚度以改善薄膜晶体管I<Sub>on</Sub>与I<Sub>off</Sub>时，不影响到该基板上其它组件的电性表现。

主 权 项：1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于包含：  提供一基板；  于该基板上形成一闸极电极；  于该基板与该闸极电极上形成一第一介电层；进行一图案化步骤，移除该闸极电极上的至少部分该第一介电层，而至少暴露出部分该闸极电极；以及于该基板上形成一第二介电层，且该第二介电层是覆盖该闸极电极。

关 键 词：介电层  电极 基板  薄膜晶体管 绝缘层厚度 图案化步骤  电性 移除  

IPC专利分类号：H01L21/336(20060101);H01L29/786(20060101);H01L29/423(20060101)