专利详细信息
文献类型:专利
专利类型:发明专利
是否失效:否
是否授权:否
申 请 号:CN200780050739.1
申 请 日:20071205
申 请 人:西班牙高等科研理事会
申请人地址:西班牙马德里
公 开 日:20091216
公 开 号:CN101606249A
代 理 人:吴贵明;张英
代理机构:11240 北京康信知识产权代理有限责任公司
语 种:中文
摘 要:本发明涉及一种REBa<Sub>2</Sub>Cu<Sub>3</Sub>O<Sub>7</Sub>型的纳米结构超导材料,其中RE=稀土或钇,该材料包含两相,主要基质REBa<Sub>2</Sub>Cu<Sub>3</Sub>O<Sub>7</Sub>和第二相BaZrO<Sub>3</Sub>、CeO<Sub>2</Sub>、BaSnO<Sub>3</Sub>、BaCeO<Sub>3</Sub>、SrRuO<Sub>3</Sub>、La<Sub>1-x</Sub>M<Sub>x</Sub>MnO<Sub>3</Sub>(M=Ca、Sr、Ba)、RE<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和/或RE<Sub>2</Sub>Cu<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>。第二相以提供高密度纳米缺陷的方式随机分布在基质中,从而由于有效地锚定了涡旋而使容量增加。本发明的另一目的是提供生产这种超导材料的方法。
主 权 项:1.REBa2Cu3O7型的纳米结构超导材料,其中RE=稀土或钇,其特征在于结构包括:·两相:○主要基质:REBa2Cu3O7,○第二相:随机分散于整个所述基质中的BaZrO3、CeO2、BaSnO3、BaCeO3、SrRuO3、La1-xMxMnO3(M=Ca,Sr,Ba)、RE2O3和/或RE2Cu2O5,其深切改变超导体的纳米结构,·以及其结构中具有的纳米缺陷的密度在103-104缺陷/μm3范围内,使得所述缺陷之间的间隔仅有几十nm,·以及由所产生的所述缺陷引起的临界电流的各相异性的减少量,低于没有第二相而制备的REBa2Cu3O7薄膜的值。
关 键 词:超导材料 第二相 基质 高密度纳米 纳米结构 随机分布 地锚 两相 涡旋 稀土
IPC专利分类号:H01L39/24(20060101);C01G3/00(20060101)
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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