文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200910197074.8

申 请 日：20091013

发 明 人：魏星 王湘 李显元 张苗 王曦 林成鲁

申 请 人：上海新傲科技股份有限公司 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：201821 上海市嘉定区普惠路200号

公 开 日：20120523

公 开 号：CN101692440B

代 理 人：翟羽

代理机构：上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一锗硅层的位错密度，并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层，能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中，应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺，能够保持应变硅的应变程度。

主 权 项：1.一种混合晶向应变硅衬底，其特征在于，包括：支撑衬底，所述支撑衬底具有第一晶向；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层，所述锗硅层包括第一锗硅区域和第二锗硅区域，所述第一锗硅区域具有第一晶向，第二锗硅区域具有第二晶向；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层，所述应变硅层包括第一应变硅区域和第二应变硅区域；所述第一应变硅区域设置于第一锗硅区域表面，亦具有第一晶向；所述第二应变硅区域设置于第二锗硅区域表面，亦具有第二晶向；所述衬底进一步包括侧墙和沟槽，所述侧墙设置在第一锗硅区域和第二锗硅区域之间；所述沟槽设置于第一应变硅区域和第二应变硅区域的界面处，所述沟槽中具有填充物。

关 键 词：应变硅 混合晶向  应变硅层  锗硅层  支撑衬底  衬底 应变程度  衬底制备方法  应变硅区域  晶格质量  应变状态  制备方法  抛光  缓冲层  键合 位错 生长  

IPC专利分类号：H01L23/00(20060101);H01L29/04(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/20(20060101)