文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200910057583.0

申 请 日：20090709

发 明 人：颜建锋 郝茂盛 李淼 周健华 潘尧波 袁根如 陈诚 李士涛 张国义

申 请 人：上海蓝光科技有限公司 彩虹集团公司 北京大学

申请人地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

公 开 日：20110406

公 开 号：CN101593801B

代 理 人：孙大为

代理机构：31211 上海浦一知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率。

主 权 项：1.一种倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；步骤二、在所述具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，并分别制备P电极和N电极；步骤三、从所述衬底的背面采用激光照射所述衬底，使所述衬底与发光二极管结构分离，从而将所述衬底上的微结构图形转移至所述发光二极管结构中靠近N层的一侧表面；所述步骤一中微结构图形为一维或者二维排列的锯齿型/矩形/梯形周期性微结构图形，或是二维结构的圆柱型、圆锥型、梯形、方型。

关 键 词：衬底  发光二极管结构  电极  微结构 制备发光二极管  发光二极管 衬底表面  激光照射 图形转移  出光效率 图形结构  制备方法  制备图形  焊接  背面  排列  

IPC专利分类号：H01L33/00(20060101);H01L21/782(20060101);H01L21/784(20060101);H01L27/15(20060101)