文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200910046834.5

申 请 日：20090227

发 明 人：郝茂盛 周健华 张楠 陈诚 潘尧波

申 请 人：上海蓝光科技有限公司 彩虹集团公司

申请人地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

公 开 日：20101229

公 开 号：CN101494272B

代 理 人：余明伟

代理机构：31219 上海光华专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其首先在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂的粗化GaN层，然后采用ICP或离子干法刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的粗化GaN层的粗化表面形状转移至所述P-GaN层，从而使所述P-GaN层表面粗化，相对于现有工艺，此法操作简单，且粗化效果更为理想。

主 权 项：1.一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其特征在于包括步骤：1)在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂且呈尖锥状的粗化GaN层；2)采用离子干法刻蚀中的ICP刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的粗化GaN层的粗化表面的尖锥形状转移至所述P-GaN层，从而使所述P-GaN层表面粗化。

关 键 词：掺杂 半导体衬底  干法刻蚀 量子阱层  离子 生长  转移  

IPC专利分类号：H01L33/00(20060101)