文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200810112653.3

申 请 日：20080526

发 明 人：桑琳 王斌 严明 屠治国

申 请 人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一四研究所

申请人地址：100086 北京市海淀区中关村知春路82号

公 开 日：20121017

公 开 号：CN101281809B

代 理 人：张涛

代理机构：11129 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：为了解决现有技术中高值电阻和其屏蔽层之间仍然存在泄漏电流的问题，本发明提供了一种实现完全等电位屏蔽的高值电阻及基于该高值电阻的分压器。高值电阻，包括电阻器及围绕电阻器由内向外依次设置的绝缘层和屏蔽层，在所述电阻器的两端和屏蔽层的两端分别施加相同的电压。采用本发明的技术方案，高值电阻上的压降与屏蔽层上的压降相等，因此两者之间不存在泄漏电流，解决了现有技术中存在的问题。若干高值电阻连接可以组成不同比例的分压器。

主 权 项：1.高值电阻，包括电阻器及围绕电阻器由内向外依次设置的绝缘层和屏蔽层，其特征在于在所述电阻器的两端和屏蔽层的两端分别施加相同的电压；所述屏蔽层为电阻膜。

关 键 词：电阻 屏蔽层 电阻器 分压器 压降 电流  泄漏  绝缘层 电位屏蔽  电压  连接  

IPC专利分类号：H01C1/06(20060101);H01C13/00(20060101)