文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200610058161.1

申 请 日：20060308

发 明 人：林丰成 林昕

申 请 人：天利半导体(深圳)有限公司

申请人地址：518067 广东省深圳市南山区沿河路6号佳利泰大厦8楼E座

公 开 日：20070912

公 开 号：CN101034585A

代 理 人：何文彬

代理机构：11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供一种无需灵敏放大器的SRAM体系电路，并且提供内部时序电路。SRAM单元采用经典的6管结构，由于预充电电路在读写交替时将位数据线充电到高电位，该SRAM电路的单元的尺寸在读出数据时只需满足能够有效的将一边的电平拉低到地即可，设计尺寸能够同时满足读和写的要求。SRAM工作的时序被由电路中的时序模块来提供。时序电路的输出决定了读写速度，在电路中满足存储器工作所需的时序。

主 权 项：1、所述SRAM共有98304位的容量，分为3个区间，每个地址单元是16位。其特征在于：区间0-区间2的物理结构是按64行×32列排列存储单元。这些区间对MPU提供16位的访问接口，对显示模块则提供512位的读数据接口。这三个区间共提供1536位的显示数据接口。

关 键 词：电路 时序  存储器工作  灵敏放大器 充电电路 内部时序  设计尺寸  时序电路 时序模块  位数据线  高电位  管结构 读写  充电 经典  

IPC专利分类号：G11C7/00(20060101);G11C8/00(20060101)