文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200810025560.7

申 请 日：20080429

发 明 人：聂卫东 易法友 陈东勤

申 请 人：无锡友达电子有限公司

申请人地址：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区106-C地块锡锦路5号

公 开 日：20100106

公 开 号：CN100578756C

代 理 人：叶连生

代理机构：32200 南京经纬专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：采用磷埋技术的薄外延的集成注入逻辑的制作工艺是一种用于制造兼容常规薄外延浅基区结的集成注入逻辑(I<Sup>2</Sup>L)工艺方法，本发明通过用PWELL版，在外延前做一次额外地磷埋层注入，提高发射区浓度，大大提高了I<Sup>2</Sup>L的性能。采用磷埋技术的薄外延浅结集成注入逻辑的制作工艺不增加光刻版和退火过程的。仅增加一次光刻与注入。本发明采用磷埋技术的薄外延浅结集成注入逻辑工艺制作I<Sup>2</Sup>L的材料片为P型&lt;100&gt;晶向，电阻率为10～20Ω·cm。

主 权 项：1.一种采用磷埋技术的薄外延浅结集成注入逻辑的制作方法，其特征在于该方法具体如下：a.投料：P型，晶向<100>，b.锑埋光刻、腐蚀：刻出I²L区域的锑埋窗口，c.锑埋注入：注入能量60KeV，注入剂量2.0E15～2.6E15；杂质为锑，将I²L区域注入锑，d.锑埋退火：退火条件为1200℃，300分钟N₂+120分钟O₂，e.磷埋光刻、腐蚀：刻出I²L区域的磷埋窗口，此处采用I²L的P阱版，f.磷埋注入：注入能量130～150KeV，注入剂量3.5E14～4.5E14；杂质为磷，将I²L的P阱正下方的区域注入磷，g.硼埋光刻、注入：注入区域为外围用来形成隔离的区域，h.硼埋退火：退火温度为1200℃，通入N₂的时间为25～35分钟，i.外延：N型外延，厚度3.5～5.0μm，电阻率0.7～0.8Ω·cm，j.P阱光刻、注入：注入区域为I²L的基区，注入能量为130～150KeV，剂量为3.5E12～5.5E12，杂质为硼，此注入形成I²L的基区，k.深磷光刻、注入：注入区域为I²L的发射区，注入能量为50～70KeV，剂量为8E15～1E16，杂质为磷，此注入形成I²L的侧向的发射区，l.深磷退火：退火温度为1150℃，通入N₂的时间为70～80分钟，m.隔离光刻、注入：注入区域为外围用来形成隔离的区域，此注入与先前的硼埋一起形成隔离，n.隔离退火：退火温度为1100℃，通入N₂的时间为40～50分钟，o.浓硼光刻、注入：注入区域为I²L基区周围一圈，用来形成I²L基区的欧姆接触区，注入能量为50～70KeV，剂量为2.5E14～6.5E14，杂质为硼，p.基区退火：退火温度为980℃～1000℃，通入N₂的时间为25～35分钟，q.发射区光刻、注入：注入区域为I²L的发射区、集电区，注入能量为60KeV～80KeV，剂量为4E15～6E15，杂质为磷，此

关 键 词：磷埋  集成注入逻辑  逻辑工艺  退火过程 材料片  电阻率 发射区 光刻版 基区结  次光  

IPC专利分类号：H01L21/8222(20060101); H01L21/331(20060101); H01L21/76(20060101)