文献类型：成果

完 成 人：王钢 王孟源 罗滔 范冰丰 刘立林 罗宏泰 陈梓敏 李健 陈子怡 游文康 李昀昊 杨光 刘敏 杨晶晶 增伟强 李堪和 黄超明

完成单位：佛山市中山大学研究院 佛山市中昊光电科技有限公司

项目年度编号：2400121056

鉴定部门：广东省科学技术厅

公布年份：2024

语　　种：中文

成果简介：1、自主研发宽禁带氧化物MOCVD外延生长装备项目组与深圳市捷佳伟创新能源装备有限公司的合作，成功开发了国内首台专用于大规模高质量ZnO半导体薄膜材料生长的38片量产型MOCVD设备，该设备通过独特的反应腔设计解决了ZnO生长过程中预反应强等问题，在提高批次的均匀性和良率方面做了大量创新性的工作：采用多层匀气送气结构和特种喷射技术，高性价比的加热控制系统，解决了大容量大尺寸反应腔加工制造过程中的焊接组装问题，设备批量生产中的质量控制和关键配件的自主制造。2、基于新型高效IOX紫外透明导电薄膜材料的LED芯片、模组及其应用在平台项目的建设下，项目团队发明了的IOX紫外透明导电薄膜材料是紫外波段实用化的透明导电材料。开发了LED芯片工艺中IOX材料刻蚀工艺和刻蚀装备，IOX膜湿法刻蚀装备采用自主开发的氧化物新型蚀刻液，整个装备工艺过程由"上件段-喷涂段-反应段-冲洗段-烘干段-下件段"构成，功能包括上片工位(蚀刻液压力供给系统、喷涂往复系统)、反应工位、清洗工位(升降平台、升降喷淋系统、清水供应系统)、风干工位、取料工位、空盘回送工位六大部分。3、新型高效全波段透明导电薄膜材料的外延制备技术及其器件应用采用MOCVD技术制备了各种形貌的氧化铟基透明导电材料，分析了氧化铟材料的外延生长机理、形貌控制和物性表征，发明了氧化铟基透明导电材料MOCVD制备技术，并成功应用在紫外LED、等器件上。

关 键 词：半导体照明产学研创新平台  紫外透明导电薄膜材料  刻蚀工艺 刻蚀装备  

分 类 号：TN305]