文献类型：成果

完 成 人：尹立孟 黄云钟 王刚 姚宗湘 李小晓 张丽萍 李瑛 王成立 唐耀 唐国梁 王纯祥 陈志刚 戴维

完成单位：重庆科技学院 重庆方正高密电子有限公司

项目年度编号：1700490084

公布年份：2016

应用行业：电子元件制造

联系单位：重庆科技学院

联 系 人：尹立孟;黄云钟;王刚;姚宗湘;李小晓;张丽萍;李瑛;王成立;唐耀;唐国梁;王纯祥;陈志刚;戴维

语　　种：中文

成果简介：主要技术内容：阻抗精度过程控制参数最优化设计：建立了基于TDR的阻抗测试方法和基于VNA的PCB信号完整性控制模型，优化阻抗公差过程控制参数，提升PCB信号传输完整性和测试准确性，使PCB的阻抗公差精度达到±7%。BGA背钻Stub控制工艺：研发了BGA背钻孔过两线技术和Stub控制技术，优化DOE组合工艺参数实验模型，降低堵孔率，实现φ0.12mm微小孔背钻，Stub≤10mil，微孔对准度≤±50μm。 集成POFV与三阶盲孔填孔工艺：提出了POFV叠激光盲孔工艺和基于双面Mask制作技术的新型盲孔填孔电镀工艺，显著提高基板填铜盲孔结合力，镀铜均匀性≤5μm，填孔后Dimple≤10μm。 局部混压埋铜设计的高频散热方法：建立基于局部混压埋铜散热的互连PCB结构设计模型，研发了局部混压埋铜设计的高频散热方法，增强了PCB板散热能力，提高产品的稳定性和使用寿命，优化后的PCB板在相同工况下使CPU温度降低3-4℃。锡须生长机理及控制技术：研究了PCB锡须生长机理，提出了通过增加镀层、后热处理、预制应力等途径抑制锡须生长。技术创新点：创新性引入MEGTRON6新材料，建立了基于TDR的阻抗测试方法和基于VNA的PCB信号完整性控制模型，使PCB的阻抗公差精度达到±7%。 首次实现BGA背钻孔过两线和高精度背钻Stub控制，优化了DOE组合工艺参数实验模型，实现成品最小直径0.12mm的小孔钻孔，堵孔率≤1.2%，Stub≤10mil，多层板微孔对准度≤±50μm。 率先提出了POFV叠激光盲孔和基于双面Mask制作的新型盲孔填孔电镀方法并实现产业化应用，采用该方法电镀填铜、减铜后，面铜厚度达25～30μm，镀铜均匀性≤5μm，填孔后Dimple≤10μm。 建立了基于局部混压埋铜散热的互连PCB结构设计模型，优化了PCB板散热结构，相同工作条件下使CPU温度降低3-4℃。 经行业内专家鉴定，该项目�

关 键 词：服务器 互连线路板  电镀工艺

分 类 号：TN4]