文献类型：会议

作　　者：李国卿 柳翠 牟宗信 关秉羽

作者单位：大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 沈阳北宇真空设备厂

会议文献：TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集

会议名称：TFC’03全国薄膜技术学术研讨会

会议日期：20030900

会议地点：中国浙江宁波

主办单位：中国真空学会薄膜专业委员会;宁波市科技局;宁波市科技园;浙江大学;清华大学;北京北仪创新真空技术有限责任公司

出版日期：20030900

学会名称：中国真空学会

语　　种：中文

摘　　要：等离子体-离子束源增强沉积设备(如图1所示),是在专利ZL-92111475.3和专利ZL-92111302.1基础上设计制造的先进设备,该设备实现了金属、气体、离子束-多弧增强沉积技术和等离子体源表面强化-镀膜一体化技术,为实现离子束技术的产业化奠定了基础。该设备具备产业化应用的基础,目前已申请三项国家专利:等离子体源增强沉积设备(03211548.2)、平面离子源增强沉积机

关 键 词：沉积设备  等离子体源 增强沉积  离子束

分 类 号：TG174]