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文献类型:会议
作者单位:兰州大学物理科学与技术学院应用磁学研究所
会议文献:中国稀土学会第五届青年学术会议摘要集
会议名称:中国稀土学会第五届青年学术会议
会议日期:20240517
会议地点:中国云南昆明
出版日期:20240517
语 种:中文
摘 要:稀土-3d金属间化合物中稀土和3d金属两种次晶格磁晶各向异性的差异导致室温自旋组态或为易轴型(即易磁化方向沿C轴);或为易面型(C平面或锥面为易磁化面)。其中易轴型材料作为第三代、第四代高性能永磁材料得到了广泛的研究,而易面型稀土在开发稀土永磁的过程中被贴上"不宜作为永磁材料"的标签而尚待开发应用。随着宽禁带半导体场效应晶体管和绝缘栅晶体管的发明,功率电子器件微型化和集成化技术突飞猛进,目前功率电子材料中新型宽带隙半导体材料GaN和SiC的工作频率的不断提高,对软磁材料工作频率的要求已经从几十赫兹,几千赫兹拓展到兆赫兹。但现实卡脖子问题是目前软磁性材料在(1-50 MHz)频段不能正常工作,高频损耗急剧增加,无法匹配宽禁带功率电子器件的高频需求。兰州大学的研究组受易面铁氧体材料(如CoZ)具有独特的高频微波磁性的启发,发现易面各向异性稀土-3d金属化合物在MHz频段能有效降低软磁材料的高频损耗及温升效应,易面稀土高频软磁材料可以与宽禁带半导体开关器件配合,形成新一代高效节能的电力电子设备。本工作有助于进一步拓展了稀土元素在国防军工、高端电子器件等领域的应用、巩固了稀土战略资源地位。
关 键 词:稀土-过渡族金属化合物 软磁材料 高频磁性 宽禁带半导体
分 类 号:TM273[材料类] TN304]
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引证文献:
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