会议论文详细信息
垂直磁场下GaAs/AlAs/InGaAs应变RTD电流输运特性研究
文献类型：会议
作者单位：上海电力学院电子科学与技术系
基 金：上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金(批准号：B01601);上海市重点学科建设项目(批准号：P1303)资助~~
会议文献：第一届中国高校通信类院系学术研讨会论文集
会议名称：第一届中国高校通信类院系学术研讨会
会议日期：20070700
会议地点：中国江苏扬州
主办单位：中国通信学会青年工作委员会
出版单位：电子工业出版社
出版日期：20070700
学会名称：中国通信学会青年工作委员会
语 种：中文
摘 要：通过研究垂直磁场对 GaAs/AlAs/InGaAs 应变 RTD Ⅰ-Ⅴ特性的影响,从实验上解释了Ⅰ-Ⅴ负阻区“平台”现象来源于发射极子能级和量子阱子能级之间的相互耦合。外加垂直磁场抑制电子共振能级隧穿,引起峰值电流随磁场线性减小,导致峰谷电流比下降,同时峰值电压也发生相应的变化。
关 键 词：应变 RTD 垂直磁场 Ⅰ-Ⅴ
分 类 号：TN301]
参考文献：
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二级参考文献：
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耦合文献：
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引证文献：
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二级引证文献：
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同被引文献：
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