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大气压DBD等离子体射流提高ITO表面功函数研究
文献类型：会议
作者单位：河北工程大学 数理科学与工程学院物理实验中心 邯郸056038 河北工程大学 数理科学与工程学院应用物理系 邯郸056038
会议文献：2018年全国高电压与放电等离子体学术会议论文集
会议名称：2018年全国高电压与放电等离子体学术会议
会议日期：20181001
会议地点：南京
主办单位：中国电工技术学会
出版日期：20181001
语 种：中文
摘 要：由于OLED特性要求阳极材料功函数尽可能高、可见光范围透过率高、电导率好等条件，使得氧化铟锡(ITO)成为OLED器件中最常用的阳极材料。利用等离子体改变ITO薄膜表面特性及其功函数已有大量文章报道，发现使用Ar等离子体放电处理后ITO表面功函数变化不大，仅仅清除了表面碳污染，而经过O2、CF4和空气等离子体处理后ITO功函数出现明显上升[1]。
关 键 词：功函数 DBD等离子体射流 活性粒子 电子密度
分 类 号：TG4] O62]
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