期刊文章详细信息
半导体器件数值模拟的特征有限元方法和分析
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]山东大学数学系,济南250100
基 金：国家自然科学基金
年 份：1993
卷 号：13
期 号：3
起止页码：241-251
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CSCD、CSCD2011_2012、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要：半导体器件的瞬时状态由三个方程的非线性偏微分方程组的初、边值问题决定,电子位势方程是椭圆型的,另二个关于电子和空穴浓度方程是抛物型的,我们提出特征有限元和特征混合元二类格式,并在相当一般的情况下得到了最佳阶的尽H^1误差估计。
关 键 词：半导体器件 数值模拟 有限元分析
分 类 号：TN302]
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