期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116023 [2]沈阳市北宇真空设备厂,沈阳110000
年 份:2005
卷 号:25
期 号:1
起止页码:74-77
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:2005169051852)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:设计和制造了适合工业应用的强流金属离子源。离子源的电弧阴、阳电极之间和放电室壁采用永磁体阵列形成导流、屏蔽磁场,改进了电弧的放电特性和提高等离子体密度。离子注入源在加速电压为30kV、50Hz条件时,平均束流流强约为30mA,调试结果表明附加磁场提高了离子源性能。
关 键 词:等离子体 离子束 离子源
分 类 号:TL629.1] O523.26]
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