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期刊文章详细信息

强流磁约束金属离子注入源  ( EI收录)  

Metal ion implantation source with a permanent magnetic field

  

文献类型:期刊文章

作  者:牟宗信[1] 龙振湖[1] 李国卿[1] 关秉羽[2]

机构地区:[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116023 [2]沈阳市北宇真空设备厂,沈阳110000

出  处:《核聚变与等离子体物理》

年  份:2005

卷  号:25

期  号:1

起止页码:74-77

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:2005169051852)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:设计和制造了适合工业应用的强流金属离子源。离子源的电弧阴、阳电极之间和放电室壁采用永磁体阵列形成导流、屏蔽磁场,改进了电弧的放电特性和提高等离子体密度。离子注入源在加速电压为30kV、50Hz条件时,平均束流流强约为30mA,调试结果表明附加磁场提高了离子源性能。

关 键 词:等离子体 离子束 离子源

分 类 号:TL629.1] O523.26]

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同被引文献:

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