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SiO_2/Si表面电子谱的因子分析法研究
THE STUDY OF SURFACE ELECTRON SPECTRA OF SiO_2/Si INTERFACE BY FACTOR ANALYSIS
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]复旦大学真空物理研究室,上海200433
年 份：1994
卷 号：14
期 号：6
起止页码：383-389
语 种：中文
收录情况：CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、SCOPUS、普通刊
摘 要：用因子分析法在扫描俄歇微探针（SAM）上研究了SiO2／Si的俄歇深度剖面分析。采用Ar＋离子刻蚀SiO2／Si样品，分别采录具有高表面灵敏度和化学态灵敏度的低能SiLVV俄歇跃迁和OKLL俄歇跃迁。用因子分析法可得到一致的结果：SiO2／Si界面上存在中间过渡化学态SiOx（0＜x＜2），以及SiO2经Ar＋离子刻蚀后产生少量（约10％）的SiOx及相当一部分（约30％～50％）的SiO2的另一状态SiO2*。
关 键 词：因子分析法 表面电子谱 氧化硅 硅 界面
分 类 号：O484]
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