文献类型：期刊文章

作　　者：郝跃[1] 邵波涛[1] 马晓华[1] 韩晓亮[1] 王剑屏[2]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071 [2]中芯国际集成电路制造有限公司,上海201203

出　　处：《西安电子科技大学学报》

基　　金：国家"863"计划资助项目(2003AA1Z1630)

年　　份：2005

卷　　号：32

期　　号：4

起止页码：627-633

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005369347135)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要.分析和比较了铜互连关键工艺,叙述了对铜互连损耗和铜通孔损耗的研究进展,对铜互连基本可靠性单元进行了讨论,指出现在仍然存在的问题,并给出了解决这些关键技术可能的方法.

关 键 词：铜互连 基本可靠性单元  可靠性技术  

分 类 号：TN405.97]