文献类型：期刊文章

作　　者：邵喜斌[1] 王丽娟[2] 李梅[3]

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033 [2]吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林长春130033 [3]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：国家"863"十五计划资助项目(No.2004AA303560)

年　　份：2005

卷　　号：20

期　　号：4

起止页码：267-272

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压VDS强烈的依赖关系。使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si∶HTFT的性能,对TFT阵列的模拟设计具有重要价值。

关 键 词：a—Si:H  TFT SPICE模型 亚阈值区  

分 类 号：TN321.5]