期刊文章详细信息
Ar离子激光增强硅各向异性腐蚀速率的研究 ( EI收录)
Study on Ar-ion Laser Enhanced Anisotropic Etching Rate of Si
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]黑龙江大学物理系
年 份：1995
卷 号：22
期 号：3
起止页码：202-204
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：研究了Ａｒ离子激光器与硅各向异性腐蚀技术相结合制造硅杯的方法。结果表明，激光照射能增强浸于ＫＯＨ溶液中硅的化学腐蚀速率，在入射光强为４．６Ｗ，ＫＯＨ溶液浓度为０．２２ｍｏｌ，温度为９０℃的条件下，得到＜１００＞硅的腐蚀速率为２１μｍ／ｍｉｎ，是无激光照射时硅各向异性腐蚀速率的多倍。进而讨论了硅在ＫＯＨ溶液中腐蚀速率对激光光强的依赖关系以及实验温度对腐蚀速率的影响问题。
关 键 词：硅 各向异性 腐蚀 氩离子激光
分 类 号：TN304.12]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
